頻率：4~48mhz
尺寸：8.0*4.5*1.8mm
NDK晶振,NX8045GB晶振,NX8045GB-13.560000MHZ小型?薄型晶體諧振器.小型、薄型 (8.0 × 4.5 × 1.8mm typ.).可對應(yīng)4MHz以上的頻率.最適用于消費類電子和汽車配件用途.優(yōu)良的耐環(huán)境特性，包括耐熱性、耐沖擊性等.滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
日本電波工業(yè)株式NDK晶振經(jīng)營范圍：晶體諧振器、晶體振蕩器等晶體元器件、應(yīng)用器件、石英晶振,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振,人工水晶及芯片等的晶體相關(guān)產(chǎn)品的制造與銷售.
日本電波工業(yè)株式NDK晶振會社作為壓電石英晶體元器件、壓電石英晶振、有源晶振、壓電陶瓷諧振器、石英晶振器件的專業(yè)生產(chǎn)廠家，以“通過對客戶的服務(wù)，為社會繁榮和世界和平作出貢獻”的創(chuàng)業(yè)理念為基礎(chǔ)于1948年成立。
為什么越來越多的晶體企業(yè)都著手向汽車電子市場進軍呢,然而汽車電子的要求也比科技數(shù)碼產(chǎn)品高的多,特別是耐溫這塊,都有一定的要求值,比如：NDK晶振,NX8045GB晶振,8045晶振,適用于汽車電子領(lǐng)域的表面貼片型石英晶振,本產(chǎn)品已被確定的高信賴性最適合用于汽車電子部件,晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,晶振本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).
貼片晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設(shè)計特別是外形尺寸的設(shè)計是首要需解決的技術(shù)問題，公司在此方面通過理論與實踐相結(jié)合，模擬出一整套此石英晶振晶片設(shè)計的計算機程序，該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應(yīng)用并取得很好的效果。
NDK晶振規(guī)格
單位
NX8045GB晶振頻率范圍
石英晶振基本條件
額定頻率
f_nom
4~8MHz
標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度
T_stg
-40°C ～ +85°C/-40°C ～ +125°C
裸存
工作溫度
T_use
-40°C ～ +85°C/-10°C ～ +70°C
標(biāo)準(zhǔn)溫度
頻率公差
f_— l
±30 × 10-6
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://m.yancaiwang.com.cn
頻率溫度特征
f_tem
±50°C× 10-6/±30°C× 10-6
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容
CL
（標(biāo)準(zhǔn)8PF）
超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們.
等效串聯(lián)電阻(ESR)
R1
Max. 300 (4 ≤ F < 5MHz)
Max. 300 (4 ≤ F < 5MHz)
頻率老化
f_age
Max. ±10×10-6/year *1
+25°C,第一年
Max. 250 (5 ≤ F < 8MHz)
Max. 200 (8 ≤ F < 9.5MHz)
Max. 120 (9.5 ≤ F < 10MHz)
Max. 100 (10 ≤ F < 12MHz)
Max. 80 (12 ≤ F < 13MHz)
Max. 50 (13 ≤ F ≤ 48MHz)
Max. 250 (5 ≤ F < 8MHz)
Max. 200 (8 ≤ F < 9.5MHz)
Max. 120 (9.5 ≤ F < 10MHz)
Max. 100 (10 ≤ F < 12MHz)
Max. 80 (12 ≤ F < 13MHz)
Max. 50 (13 ≤ F ≤ 48MHz)
1：輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射。
2：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
3：外加電壓
如果過大的激勵電力對無源晶振外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請在宣傳冊,規(guī)格書中規(guī)定的范圍使用。讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負(fù)性阻抗值,本公司推薦此負(fù)性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上。若是車載和安全設(shè)備,則推薦10倍以上。
4：鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
5：靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。NDK晶振,NX8045GB晶振,8045晶振。
NDK晶振環(huán)保方針：
日本電波工業(yè)株式NDK晶振已經(jīng)建立和正在推動一項中期計劃的具體減排目標(biāo)，以減少二氧化碳的排放是全球變暖的原因。它也有助于減少（抑制）CO2排放量，通過使用最先進的技術(shù)，實現(xiàn)最小化，以及減少石英晶體諧振器,石英晶體的重量和功耗，以支持社會的需要。
NDK晶振的新概念的溫補晶體振蕩器,石英晶體振蕩器器件。通過產(chǎn)品生命周期提高整體節(jié)能貢獻和環(huán)境績效的舉措。制造-環(huán)境友好生產(chǎn)—優(yōu)化-提高性能/效率的節(jié)能貢獻—通過制造致密/復(fù)雜產(chǎn)品減少資源節(jié)約—環(huán)境消除/減少環(huán)境負(fù)荷物質(zhì)—這些是倡議的支柱。制造業(yè)-環(huán)保生產(chǎn)—我們將介紹一些情況下，發(fā)現(xiàn)CO2排放量的產(chǎn)品生命周期使用環(huán)境LCA方法。NDK晶振,NX8045GB晶振,8045晶振。
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