IDT低抖動有源晶體振蕩器第1篇，IDT公司致力于為用戶提供創(chuàng)新型的產品為主，憑借著出色的穩(wěn)定性能使得在電子行業(yè)大放異彩，并通過自身的努力，不斷打磨自身的產品和自身的核心競爭力，隨著幾十年來的積累，如今已然到了爆發(fā)期，并切合用戶實際需求，開發(fā)小體積高品質的石英晶體振蕩器，產品采用創(chuàng)新設計理念，結合高超技術打磨而成，對于IDT公司而言也是突破型的里程碑。

IDT開發(fā)了與數字系統(tǒng)相結合的半導體解決方案，例如處理器和內存，彼此之間，以及物理世界。在IDT，我們認為作為一個行業(yè)領導者，我們在解決我們星球上一些最偉大的社會和環(huán)境挑戰(zhàn)方面發(fā)揮了關鍵作用。IDT致力于通過網站運營和產品開發(fā)，持續(xù)改進作為一個全球性的組織。

IDT的集成電路用于世界各地的通信、計算和消費行業(yè)。IDT總部位于加州圣何塞市，在世界各地都設有設計、運營和銷售設施。

頻率系統(tǒng)性能的衡量標準是穩(wěn)定性，即在適當的時間內頻率的波動水平測量目標是將這些波動保持在最低限度；然而，噪聲和抖動在系統(tǒng)中是不可避免的，并且可能對性能產生負面影響.

抖動基本介紹
考慮一個有兩種狀態(tài)的信號，“開”或“關”。此信號具有脈沖之間的恒定時間段和所有脈沖相等長度。
由于信號的性質，很容易預測下一個脈沖的時間將到達。如果您想建立一個利用該脈沖的性質；例如，如果兩個脈沖之間的時間你可以做一個非常簡單的計時裝置根據該信號。

然而，事實上沒有什么是這么簡單的。再次考慮信號但現在也要考慮一些破壞它的東西。這種“噪音”，無論是來自在脈沖或外部參數內，偶爾會導致脈沖提前到達。

散粒噪聲

組成電流的電子的離散性質也 在部件中引入噪聲。這在變得非常重要 極低電流應用。這也是白不可約的。

閃爍噪聲 盡管約翰遜噪聲和散粒噪聲與電路無關元件設計，閃爍噪聲不是。閃爍噪聲(也稱為 粉紅噪聲)在低頻占優(yōu)勢，并且是由于瞬態(tài)組件性能的波動。它遵循一個相似的趨勢 冪=1/f，其中f是頻率。由此可見，力量隨著頻率的增加，閃爍噪聲趨于0。圖二。IDT低抖動有源晶體振蕩器第1篇.

外噪聲

這是一種干涉。例子包括50Hz電源 電源線、電容和磁耦合。這可以是糟糕的電路設計加劇了這種情況，如果沒有正確的預先考慮成為一個問題。

隨機行走
這是晶體結構本身固有的，包括環(huán)境源，如沖擊和振動。這些是影響晶體本身結構的長期因素，可能會導致這種情況立即的討論被忽略。隨機游動通常定義為小于10Hz并且沒有抖動。

量化噪聲
通常以信噪比（SNR）形式給出：在SNR=20log10時的分貝（Vs2/VN2）（1）其中Vs和VN是信號和噪聲的均方根電壓分別地.

在這個討論中，我們對均勻的周期波形感興趣圍繞給定點振蕩。例如，方波振蕩在地（0V）和電源電壓（Vs）之間。我們將考慮輸出上升超過½Vs作為閾值的點參考電壓，并使用該值測量上升脈沖的邊緣。我們不考慮從0V開始增加我們的上升沿可能是隨機噪聲。或者我們可以考慮關于水平x軸對稱的正弦波，其中x=0是我們測量的參考點，即0V線。

我們正在有效地尋找原始波形和接收到的波形，即信號抖動是用時間或單位間隔來描述的，而有源晶振相位噪聲將以弧度或度數來描述。例如，考慮一個在然而，在1MHz的頻率下，0V和+Vs被感應到電路中是一種噪聲，意味著信號提前達到½Vs。

如圖3所示，最終波形越過閾值電壓比之前的波形快½Vs；由于噪音導致波形提前到達。在這種情況下，在0V下花費的時間是先前波形的一半時間。

使用：T=1/f（2）

我們知道整個周期需要1µs。所以這個波形達到250ns早期的這是250ns的抖動或½π或90°的相移。一個可以通過數學分析得出更清晰的例子相移和抖動的描述是正弦波形。A.正弦曲線可以寫成：f（t）=Asin（ωt+θ）（3）其中A是波的最大振幅，ω=2πf，θ是相位轉移.

示例：
考慮以下場景，x是一條正弦曲線，其頻率為1Hz。波形的方程為x=sin2πt。然而噪聲存在并導致波異相移動。圖4、5和6。
我們有一個0V的閾值電壓，當波浪穿過水平x軸。測量時間為0.4375s當它穿過x軸時。這是0.0625s的抖動。由此我們可以計算出相移。從（3）：
f(t) = Asin(ωt + θ)

f(t) = Asin(2πft + θ)

f(t) = Asin(2πt + θ) as

f = 1 f(t) = Asin(2π x 0.4375 + θ) as wave is 0.4375s early

f(t) = sin(2π x 0.4375 + θ) as A = 1 0 = 2π x 0.4375 + θ at f(t) = 0 0 = 0.875π + θ -θ = 0.875π θ = 0.125π θ = 1/8π phase shift
相位噪聲圖
在前面的例子中，分析了一個單獨的噪音事件；然而，檢查信噪比如何也是有用的（SNR）隨著頻率或噪聲的變化而變化。這是繪制的在曲線圖上，SNR值顯示在Y軸上與X軸上表示的基頻的距離。頻率離基頻越遠，越小SNR將變?yōu)閳D7。

從這些圖表中，你可以計算出各種興趣點的位置例如SNR的功率減半的3dB頻率。這使得能夠繪制出顯示相位噪聲的曲線圖抵消.

圖8中的圖表分解了相位噪聲的來源有源晶體振蕩器的經驗。相位噪聲圖被分離分為五個主要區(qū)域，距離水平X軸和垂直Y軸上的SNR。您可以觀察閃爍角，閃爍噪聲變得可以忽略的點信號中的因素；此時，所有高于該角頻率的噪聲變得不可約。這與前面的噪聲區(qū)域圖非常相似標記。

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