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頻率：8~150MHZ
尺寸：5.0*3.2mm
ILSI晶振,貼片晶振,ILCX03晶振,2013年，ILSI收購(gòu)了MMD Monitor / Quartztek。MMD Monitor / Quartztek的收購(gòu)使我們現(xiàn)有的全球頻率控制打印位置和活躍的客戶群翻了一番。ILSI收購(gòu)MMD的行為不會(huì)中斷我們的客戶供應(yīng)鏈。ILSI現(xiàn)在在加利福尼亞州南部的MMD Monitor Monitor / Quartztek所在地的銷售水平顯著提高，因此2013年需要開(kāi)設(shè)兩個(gè)新的區(qū)域銷售辦事處，負(fù)責(zé)處理洛杉磯，加利福尼亞州，加利福尼亞州奧蘭治縣和加利福尼亞州圣地亞哥的地區(qū)。
智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無(wú)線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
通過(guò)結(jié)合以往低速滾筒倒邊去除進(jìn)口晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理，有一項(xiàng)不完善都會(huì)使石英晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過(guò)大，用在電路中Q值過(guò)小，從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)不穩(wěn)定。
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ILSI晶振規(guī)格 |
單位 |
ILCX03晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
8~150MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C ～ +85°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-0°C ～ +70°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵(lì)功率 |
DL |
100μW Max. |
推薦:1μW ～ 100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±30× 10-6 |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±50× 10-6/-20°C ～ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
18pF |
超出標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)明,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C +85°C, DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
存儲(chǔ)事項(xiàng):(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存5032晶振時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開(kāi)封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。 正常溫度和濕度： 溫度：+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。ILSI晶振,貼片晶振,ILCX03晶振
所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)1：抗沖擊:抗沖擊是指進(jìn)口無(wú)源晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。因?yàn)闊o(wú)論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響。 2：輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽(yáng)光長(zhǎng)時(shí)間的照射。 3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境:請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
4：粘合劑:請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致無(wú)源石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。） 5：鹵化合物:請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。6：靜電:過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。
ILSI America LLC / ILSI-MMD Inc.制定了我們認(rèn)為適合我們組織的陶瓷面封裝晶振質(zhì)量方針，并且符合ISO 9001：2008中規(guī)定的要求。該政策在整個(gè)公司內(nèi)傳達(dá)。部門(mén)經(jīng)理和主管負(fù)責(zé)確保所有員工了解政策。為確保我們的政策適宜，我們至少每年在其管理評(píng)審會(huì)議上對(duì)其進(jìn)行審查。ILSI晶振,貼片晶振,ILCX03晶振
ILSI America LLC / ILSI-MMD Inc.的高層管理人員通過(guò)制定和實(shí)施本質(zhì)量手冊(cè)表明了其對(duì)SMD兩腳5032封裝晶振質(zhì)量管理體系的承諾。此外，通過(guò)ILSI美國(guó)有限責(zé)任公司/ ILSI-MMD Inc.質(zhì)量方針，在管理評(píng)審會(huì)議期間制定和審查的具體目標(biāo)，以及提供所需資源以實(shí)現(xiàn)我們不斷提高我們運(yùn)營(yíng)效率的目標(biāo)和質(zhì)量體系。
由總裁和所有部門(mén)經(jīng)理組成的管理團(tuán)隊(duì)專注于確保我們的5032石英晶振產(chǎn)品和服務(wù)符合客戶以及法定和監(jiān)管要求。我們致力于不斷提高質(zhì)量管理體系的有效性和我們對(duì)客戶滿意度的承諾，通過(guò)監(jiān)控我們的業(yè)績(jī)與我們既定的目標(biāo)以及通過(guò)促進(jìn)員工參與的領(lǐng)導(dǎo)力來(lái)實(shí)現(xiàn)。這個(gè)概念代表了ILSI America LLC / ILSI-MMD Inc.對(duì)質(zhì)量的承諾，以及越來(lái)越需要更好地服務(wù)于不斷增長(zhǎng)和要求苛刻的客戶群。
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